Оригинальная микроэлектроника
+7 (4912) 502-509 г. Рязань, ул. Пирогова, д. 4, помещение H157
Обратный звонок Личный кабинет
Пресс-центр
Новости компании
Новости отрасли
Актуальные новости
В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NANDСогласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуетс..
подробнее
В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NANDСогласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуетс..
подробнее
В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NANDСогласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуетс..
подробнее
«Эльбрус» станет платформой для сверхмощного российского суперкомпьютераСогласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуетс..
подробнее
«Эльбрус» станет платформой для сверхмощного российского суперкомпьютераСогласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуетс..
подробнее
«Эльбрус» станет платформой для сверхмощного российского суперкомпьютераСогласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуетс..
подробнее
Популярные товары
Кросс-платы Complact PCI название в две строки
Кросс-платы Complact PCI название в две строки
Кросс-платы Complact PCI название в две строки
Кросс-платы Complact PCI название в две строки
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. 10 Июля 2019 В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. 10 Июля 2019 В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. 10 Июля 2019 В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. 2 Июля 2019 «Эльбрус» станет платформой для сверхмощного российского суперкомпьютера
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. 2 Июля 2019 «Эльбрус» станет платформой для сверхмощного российского суперкомпьютера
Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. 2 Июля 2019 «Эльбрус» станет платформой для сверхмощного российского суперкомпьютера